【學術報告】金剛石半導體及其電子器件的新進展

報告題目：金剛石半導體及其電子器件的新進展

時間： 2017年1月6日下午        

地點：工程技術樓512            

報告人：王宏興　教授

王宏興，西安交通大學教授，西安交通大學寬禁帶半導體材料與器件研究中心主任。王教授于2001年在日本德島大學獲得博士學位。2001-2003年，作為高級研究員，王博士加入了日本Nitride Semiconductor 公司從事GaN LED的研發和產業化工作；2003-2008年，作為執行董事，加入日本Dialight Japan 公司，從事CVD 及場致發光器件的研究工作；2008-2013年，作為研發經理，加入日本的SEKI Technotron 公司，開展微波等離子體CVD及單晶金剛石半導體的研發工作；于2012年作為“國家千人”特聘專家，王博士被引進到西安交通大學。其研究領域集中在寬禁帶半導體材料與器件：（1）III-V族LED和功率器件；（2）單晶金剛石及其電子器件；（3）基于金剛石NV色心的量子器件；（4）寬禁帶半導體材料生長用CVD（MOCVD，MPCVD，DC-CVD等）。回國后，作為課題負責人，獲得了國家“863”重大項目，基金委的“重大儀器專項”，十三五“國家重大研發項目”，陜西省重大研發項目等多項國家和地方重大項目的支持。申請和獲得中、美、日、歐和PCT等專利100余項，發表文章100余篇。

                                                  內蒙古工業大學材料科學與工程學院

                                                        內蒙古工業大學科技處

                                               內蒙古自治區材料成型及控制工程重點實驗室

                                                   內蒙古自治區薄膜與涂層重點實驗室

                                                             2017年1月3日