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【學術報告】金剛石半導體及其電子器件的新進展

時間:2017-01-03  瀏覽數:次  字體:    來源:新聞網

報告題目:金剛石半導體及其電子器件的新進展

時間: 2017年1月6日下午        

地點:工程技術樓512            

報告人:王宏興 教授

王宏興,西安交通大學教授,西安交通大學寬禁帶半導體材料與器件研究中心主任。王教授于2001年在日本德島大學獲得博士學位。2001-2003年,作為高級研究員,王博士加入了日本Nitride Semiconductor 公司從事GaN LED的研發和產業化工作;2003-2008年,作為執行董事,加入日本Dialight Japan 公司,從事CVD 及場致發光器件的研究工作;2008-2013年,作為研發經理,加入日本的SEKI Technotron 公司,開展微波等離子體CVD及單晶金剛石半導體的研發工作;于2012年作為“國家千人”特聘專家,王博士被引進到西安交通大學。其研究領域集中在寬禁帶半導體材料與器件:(1III-VLED和功率器件;(2)單晶金剛石及其電子器件;(3)基于金剛石NV色心的量子器件;(4)寬禁帶半導體材料生長用CVDMOCVDMPCVDDC-CVD等)。回國后,作為課題負責人,獲得了國家“863”重大項目,基金委的“重大儀器專項”,十三五“國家重大研發項目”,陜西省重大研發項目等多項國家和地方重大項目的支持。申請和獲得中、美、日、歐和PCT等專利100余項,發表文章100余篇。

                                                  內蒙古工業大學材料科學與工程學院

                                                        內蒙古工業大學科技處

                                               內蒙古自治區材料成型及控制工程重點實驗室

                                                   內蒙古自治區薄膜與涂層重點實驗室

                                                             201713

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